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W78M64V-XSBX:3.3V 256Mb页模式同时读/写闪存  W78M64V-XSBX.pdf

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W78M64V-XSBX:3.3V 256Mb页模式同时读/写闪存,多片封装,存取时间90ns,100ns和120ns,每个扇区有100万擦除/编程次数,159引脚PBGA封装,页尺寸为8个字,结构为8MX64,用户可可配置成2X8M细长或4X8MX16,商业,工业和军用温度范围,具有零功率操作,同时读取和写入功能,读/写操作零等待时间,数据轮流检测和触发测试,开启旁路编程指令,从而降低了整个编程时间,硬件方法用来检测程序或擦除周期的完整性,写保护功能允许保护最外层的引导扇区,具有加速(ACC)功能加速编程

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